參數(shù)資料
型號(hào)： FDW2511NZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 7.1 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 267K
代理商： FDW2511NZ
FDW2511NZ Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
D
6
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 13. Gate Charge Waveforms for Constant Gate Currents
Typical Characteristic
(Continued)
T
A
= 25
°
C unless otherwise noted
0.95
1.00
1.05
1.10
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
1000
0.1
1
10
2000
100
20
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
0
1.5
0
3
9
12
V
G
,
Qg, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 10V
D
= 1A
I
D
= 7.1A
WAVEFORMS IN
DESI
4.5
3.0
6
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PDF描述
FDW2512NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2512NZ_NL Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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FDW2515NZ CAP CER 68000PF 100V 10% X7R1210
FDW2516NZ Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDW2512NZ 功能描述:MOSFET 2.5V TSSOP8 DUAL NCH SPECIFIED TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDW2512NZ_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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