參數(shù)資料
型號(hào)： FDS9945
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 3500 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SO-8
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 73K
代理商： FDS9945
FDS9945 Rev B(W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
5.0V
4.0V
4.5V
6.0V
V
GS
= 10V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
3
6
9
12
15
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
5.0V
6.0V
10V
4.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 3.5A
V
GS
= 10V
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 1.75A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS9953A Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDSS2407 N-Channel Dual MOSFET
FDT3612 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDT434 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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