參數(shù)資料
型號(hào)： FDS9936
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 416K
代理商： FDS9936
FDS9936A Rev.B
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 5.5A
V = 5V
10V
15V
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
30
50
I
D
RDS(ON)LMT
DC
1s
100ms
10ms
1ms
V =10V
SINGLE PULSE
R = 135°C/W
T = 25°C
JA
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
30
50
100
200
500
1000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0.01
0.1
0.5
1
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =135° C/W
T = 25°C
θ
JA
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R =
135
°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS9936A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS9945 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS9953A Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDSS2407 N-Channel Dual MOSFET
FDT3612 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDS9945 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS9945 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 60V 3.5A 8SOIC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 3.5A, 8SOIC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 3.5A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; No. of Pins:8;RoHS Compliant: Yes
FDS9945 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC
FDS9945_Q 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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