參數(shù)資料
型號(hào)： FDS9435A
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5300 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 244K
代理商： FDS9435A
FDS9435A Rev.C
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I = -5.3A
0.1
0.2
0.5
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
0.01
0.1
1
10
100
-
D
RDS(ON) LIMIT
A
V = -10V
SINGLE PULSE
R = 125°C/W
T = 25°C
A
JA
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100us
00
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
100 300
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R = 125°C/W
T = 25°C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.3
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
3
10
30
50
100
200
500
1000
2000
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125
°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
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