參數(shù)資料
型號： FDS8928A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5.5 A, 30 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 285K
代理商： FDS8928A
FDS8928A Rev. B
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
(continued)
Figure 20. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 18. Capacitance Characteristics.
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I =-4.0A
0.1
0.2
0.5
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
30
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
5
10
20
50
-
RDS(ON)LMT
D
DC
1s
10s
100ms
10ms
1ms
A
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 135°C/W
T = 25°C
JA
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
3000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0.01
0.1
0.5
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =135 °C/W
T = 25°C
A
JA
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PDF描述
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