參數(shù)資料
型號(hào)： FDS8928A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5.5 A, 30 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 285K
代理商： FDS8928A
FDS8928A Rev. B
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
Figure 11. On-Region Characteristics.
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 14. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -4.0A
0
1
2
3
4
5
0
6
12
18
24
30
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
- 2.5V
-3.5V
-3.0V
-2.0V
V = -4.5V
-1.5V
0
6
12
18
24
30
0.8
1.2
1.6
2
-I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = - 2.0V
R
D
-3.0 V
-4.5V
-3.5V
-2.5 V
0
1
2
3
4
5
0
0.05
0.1
0.15
0.2
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
25°C
I = -2A
T = 125°C
0.4
0.8
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
1.2
1.6
2
0
2
4
6
8
10
-
V = -5V
D
125°C
25°C
T = -55°C
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.001
0.01
0.1
1
3
10
-
25°C
-55°C
V = 0V
S
T =125°C
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
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PDF描述
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