參數(shù)資料
型號： FDS8880
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 11.6 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 259K
代理商： FDS8880
F
FDS8880 Rev. A1
www.fairchildsemi.com
4
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
8
10
12
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
R
θ
JA
=50
o
C/W
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.001
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
R
θ
JA
=50
o
C/W
10
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1400
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
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PDF描述
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