參數(shù)資料
型號： FDS8333C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
中文描述： 4.1 A, 30 V, 0.08 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： FDS8333C
FDS8333C Rev C (W)
Typical Characteristics: N-Channel
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
3.0V
6.0V
V
GS
= 10V
3.5V
4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
2
4
6
8
10
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
10V
4.0V
4.5V
3.5V
6.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 4.1A
V
GS
= 10V
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 2 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
=-55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
=5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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