參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6912A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 6000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： FDS6912A
FDS6912A Rev.C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Characteristics
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R =135° C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
100
200
500
1500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C ss
0.1
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
50
0.01
0.05
0.5
2
10
50
100
I
D
RDS(ON) LIMIT
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
V =10V
SINGLE PULSE
R = 135°C/W
T = 25°C
100us
0.01
0.1
0.5
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =135 °C/W
T = 25°C
A
JA
0
3
6
9
12
15
18
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 6A
D
10V
15V
V = 5V
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PDF描述
FDS6912 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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FDS6961 Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
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參數(shù)描述
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