參數(shù)資料
型號： FDS6875
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 6 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： FDS6875
FDS6875 Rev.C
Typical Electrical Characteristics
(continued)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -6A
D
V = -5V
-10V
-15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
100
200
500
1000
2000
4000
- V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C ss
0.1
0.3
1
2
5
10
30
0.01
0.05
0.5
3
10
30
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
RDS(ON)LMT
D
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 135° C/W
T = 25° C
0.01
0.1
0.5
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =135°C/W
T = 25°C
A
JA
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 135°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
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PDF描述
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FDS6892AZ Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6892 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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FDS6894 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDS6890A 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6890A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8
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