參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6875
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 6 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： FDS6875
FDS6875 Rev.C
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Dain Current and Gate Voltage
.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
0
5
10
15
20
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
-2.0V
-2.5V
-3.0V
V = -4.5V
0
4
8
12
16
20
0.5
1
1.5
2
2.5
- I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0V
R
D
-4.5V
-2.5 V
-3.5 V
-3.0 V
1
2
3
4
5
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
- V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
25° C
TA
I = -3.0A
0.5
1
1.5
2
2.5
0
5
10
15
20
- V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -5.0V
D
J
125° C
25° C
0
0.3
0.6
0.9
1.2
0.001
0.01
0.1
1
5
20
- V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
25° C
-55° C
V = 0V
S
J
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (° C)
D
R
D
V = -4.5V
I = -6A
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PDF描述
FDS6890A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDS6892AZ Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6892 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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FDS6894 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDS6890A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8
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