參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6814
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 8 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 230K
代理商： FDS6814
Electrical Characteristics
T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
I
GSSF
Gate-Body Leakage, Forward
I
GSSR
Gate-Body Leakage, Reverse
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -12 V, V
DS
= 0 V
20
V
μ
A
nA
nA
1
100
-100
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
V
GS(TH)
Gate Threshold Voltage
R
DS(ON)
Static Drain-Source
On-Resistance
I
D(ON)
On-State Drain Current
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 8 A
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 6.5 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5.0 V
0.6
1.5
0.02
0.03
V
25
A
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
1.3
1.2
A
V
V
GS
= 0 V, I
S
= 1.3 A
(Note 2)
θ
θ
θ
!!"
≤
#$$
μ
%&'
≤
($)
*+,
°
'-"
$.
(
*(.
°
'-"
$$(
(
*#.
°
'-"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6815 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
FDS6875 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
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FDS6892 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDS6890A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8
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