參數(shù)資料
型號： FDS4501H
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
中文描述： 9300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 1390K
代理商： FDS4501H
FDS4501H Rev C(W)
Typical Characteristics Q1
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 9.3A
V
DS
= 5V
10
15V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
Figure 18. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
5
10
15
20
25
30
0.01
0.1
1
10
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125°C/W
T
A
= 25°C
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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