參數(shù)資料
型號(hào)： FDS4501H
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET
中文描述： 9300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 1390K
代理商： FDS4501H
FDS4501H Rev C(W)
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Test Conditions
Type
Min
Typ Max Units
Off Characteristics
BV
DSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV
DSS
T
J
Temperature Coefficient
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain
Current
I
GSS
Gate-Body Leakage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250 μA
V
GS
= 0 V, I
D
= –250 μA
I
D
= 250 μA, Referenced to 25
°
C
I
D
= –250 μA, Referenced to 25
°
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= +20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= +8 V, V
DS
= 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
–20
V
Breakdown Voltage
24
–13
mV/
°
C
μ
A
nA
1
–1
+100
+100
On Characteristics
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
(Note 2)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250 μA
I
D
= 250 μA, Referenced to 25
°
C
I
D
= –250 μA, Referenced to 25
°
C
V
GS
= 10 V, I
D
= 9.3 A
V
GS
= 10 V, I
D
= 9.3 A, T
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 7.6 A
V
GS
= –4.5 V, I
D
= –5.6 A
V
GS
= –4.5 V, I
D
= –5.6 A, T
J
= 125
°
C
V
GS
= –2.5 V, I
D
= –5.0 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
GS
= –4.5 V, V
DS
= –5 V
V
DS
= 5 V, I
D
= 9.3 A
V
DS
= 5 V, I
D
= –5.6 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1
–0.4
1.6
–0.7
–4
3
14
21
17
36
49
47
3
–1.5
V
V
GS(th)
T
J
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain-Source
On-Resistance
mV/
°
C
m
18
29
23
46
80
63
I
D(on)
On-State Drain Current
Q1
Q2
Q1
Q2
20
–20
A
S
g
FS
Forward Transconductance
28
16
Dynamic Characteristics
C
iss
Input Capacitance
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1958
1312
424
240
182
106
pF
pF
pF
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
V
= 10 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
F
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PDF描述
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