參數(shù)資料
型號(hào)： FDS3680
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 5200 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： FDS3680
FDS3680 Rev B1 (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 6A
V
DS
= 15V
30
V
50V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
20
40
60
80
100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TI ME (s e c)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
S i n g l e P u l s e
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
D u t y C y c l e, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125°C/ W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS3682 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 6A, 35mз
FDS3690 DIODE ZENER SINGLE 1000mW 7.5Vz 34mA-Izt 0.05 10uA-Ir 5Vr DO41-GLASS 5K/AMMO
FDS3692 N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
FDS3812 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET
FDS3890 80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDS3680_0011 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS3682 功能描述:MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS3682_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDS3682_Q 功能描述:MOSFET 100V 6a .35Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS3690 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*