參數(shù)資料
型號： FDR8521L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application
中文描述： 2900 mA, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 224K
代理商： FDR8521L
F
FDR8521L Rev. C
Figure 1. Conduction Voltage Drop
Variation with Load Current.
Figure 2. Conduction Voltage Drop
Variation with Load Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Input Voltage.
Typical Characteristics
(continued)
Figure 4.Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 2.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
L
(A)
V
D
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
V
IN
= 12V
V
ON/OFF
= 1.5 - 8V
PW = 300
μ
S, D < 2%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
L
(A)
V
D
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
V
IN
= 5V
V
ON/OFF
= 1.5 - 8V
PW = 300
μ
S, D < 2%
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
2
4
6
8
10
12
V
IN
, INPUT VOLTAGE (V)
V
D
I
L
= 1A
V
ON/OFF
= 1.5V -8V
PW = 300
μ
S, D <
2%
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
0.05
0.02
0.2
r
D = 0.5
0.1
0.01
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =
156
°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
2
t
1
t
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDR858P 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FDR8702H 功能描述:MOSFET N & PCh PowerTrench 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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