參數(shù)資料
型號(hào)： FDR8508P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 3000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 274K
代理商： FDR8508P
SuperSOT
-8 (FS PKG Code 34, 35)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0416
SuperSOT
TM
-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDR8521L P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application
FDR856P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDR858P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDR8702H 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS2070N7 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDR8521L 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR8521L_Q 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR856P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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