參數(shù)資料
型號(hào)： FDR844P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 10000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 89K
代理商： FDR844P
FDR844P Rev A1(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -10A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
100
μ
s
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 135 °C/W
T
J
- T
A
t
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDR8508P Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET
FDR8521L P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application
FDR856P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDR858P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDR8702H 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDR8508P 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH DUAL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR8508P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8
FDR8508PQ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDR8521L 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR8521L_Q 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*