參數(shù)資料
型號(hào)： FDR844P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 10000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： FDR844P
FDR844P Rev A1(W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
0.5
1
1.5
2
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
-1.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
10
20
30
40
50
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= - 1.5V
-4.5V
-3.0V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -10A
V
GS
= - 4.5V
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -5A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDR8508P Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET
FDR8521L P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application
FDR856P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDR858P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDR8702H 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDR8508P 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH DUAL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR8508P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8
FDR8508PQ 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDR8521L 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR8521L_Q 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*