參數(shù)資料
型號： FDN361
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
中文描述： N溝道，邏輯層次，的PowerTrenchビヌ
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 946K
代理商： FDN361
F
FDN361AN, Rev. C
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Typical Characteristics
(continued)
0
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.5V
5.0V
7.0V
4.5V
10V
4.0V
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 10 V
I = 1.8 A
R
D
2
4
6
8
10
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
T = 25
°
C
I = 0.9A
T = 125
°
C
A
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.001
001
0.1
1
10
I
S
-55
°
C
V = 0V
T = 125
°
C
25
°
C
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V =5.0V
T = -55
°
C
25
°
C
125
°
C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
3.5V
3.0V
4.0V
6.0V
4.5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDN361AN N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
FDN371N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDN372S 30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET
FDN5618 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDN361AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
FDN361AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistors MOSFET RoHS Compliant:Yes
FDN361BN 功能描述:MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN363N 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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