| 型號: | FDN5618P |
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述: | 60 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝: | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數(shù): | 1/8頁 |
| 文件大小: | 385K |
| 代理商: | FDN5618P |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN5630 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP047AN08A0 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
| FDP047AN08 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
| FDP060AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз |
| FDB060AN08A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDN5618P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
| FDN5618P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN5618P Series 60 V 0.170 Ohm P-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| FDN5630 | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN5630 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN5630N | 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SuperSOT -3 |