型號: | FDN361 |
廠商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ |
中文描述: | N溝道,邏輯層次,的PowerTrenchビヌ |
文件頁數(shù): | 1/8頁 |
文件大?。?/td> | 946K |
代理商: | FDN361 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FDN361AN | N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ |
FDN371N | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDN372S | 30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET |
FDN5618 | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
FDN5618P | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDN361AN | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDN361AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
FDN361AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistors MOSFET RoHS Compliant:Yes |
FDN361BN | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDN363N | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |