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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDN304PZ |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 2400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | FDN304PZ |
FDN304PZ Rev C (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-2.0V
-2.5V
-1.5V
V
GS
= -4.5V
-3.0V
-6.0V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.0V
-3.5V
-2.5V
-4.5V
-3.0V
-6.0V
-10.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -2.4A
V
GS
= -4.5V
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0
2
4
6
8
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -1.2 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
=
125
o
C
25
o
C
V
DS
= - 5V
-55
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN304P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDN306P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDN308P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDN327N | N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET |
| FDN335 | N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDN304PZ_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN306P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN306P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN306P_G | 制造商:Fairchild 功能描述:MOSET , -12V/2.6A, SSOT3 |
| FDN306P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN306P Series 12 V 40 mOhm P-Channel 1.8V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
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