型號: | FDN302 |
廠商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
中文描述: | P溝道MOSFET的為2.5V指定的PowerTrench |
文件頁數(shù): | 5/5頁 |
文件大?。?/td> | 103K |
代理商: | FDN302 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FDN302P | CAP CER 2.2UF 16V 10% X5R 1206 |
FDN304PZ | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
FDN304P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
FDN306P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
FDN308P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDN302P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDN302P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SSOT-3 PCH 20V :ROHS COMPLIANT |
FDN302P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
FDN302P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDN304P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |