參數(shù)資料
型號： FDMA1032CZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 20V Complementary PowerTrench MOSFET
中文描述： 3700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-229
封裝： 2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICROFET-6
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 170K
代理商： FDMA1032CZ
FDMA1032CZ Rev B (W)
Typical Characteristics: Q2 (P-Channel)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -3.1A
V
DS
= -5V
-15V
-10V
0
200
400
600
800
1000
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 18. Gate Charge Characteristics.
Figure 19. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 173
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100us
0
0.0001
10
20
30
40
50
0.001
0.01
0.1
t
1
, TIME (sec)
1
10
100
1000
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 173°C/W
T
A
= 25°C
Figure 20. Maximum Safe Operating Area.
Figure 21. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
=173 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 22. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
M
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PDF描述
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