參數(shù)資料
型號： FDG6320C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: 15uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 3.8x6.5 mm; Packaging: Tape & Reel
中文描述： 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： FDG6320C
FDG6320C.Rev D
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
(continued)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
0
0.1
0.2
Q , GATE CHARGE (nC)
0.3
0.4
0.5
0.6
0
1
2
3
4
5
6
V
G
I = 0.22A
V = 5V
10V
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
0.4
0.8
2
5
10
25
40
0.01
0.03
0.1
0.3
1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
RDSON LMT
DC
10s
100ms
10ms
V = 4.5V
SINGLE PULSE
R = 415 °C/W
T = 25°C
JA
1s
0.1
0.3
1
3
10
25
2
3
5
8
15
30
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
00
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
200
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R =415°C/W
T = 25°C
A
JA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDG6321C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
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