參數(shù)資料
型號(hào)： FDG6320C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: 15uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 3.8x6.5 mm; Packaging: Tape & Reel
中文描述： 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 196K
代理商： FDG6320C
FDG6320C.Rev D
Typical Electrical Characteristics: P-Channel
(continued)
Figure 20. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 18. Capacitance Characteristics.
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
2
4
6
8
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I = -0.14A
1
2
3
5
10
20
40
0.005
0.03
0.1
0.3
1
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
RDS(ON) LIMIT
DC
1s
100ms
10ms
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = See Note 1b
T = 25°C
A
JA
10s
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0.5
1
3
5
10
20
40
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
00
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
200
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R =415°C/W
T = 25°C
A
JA
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PDF描述
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FDG6321C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
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