參數(shù)資料
型號(hào)： FDG6318P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： CAP CER 1500PF 630V 10% X7R 1206
中文描述： 500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： FDG6318P
FDG6318P Rev C (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -0.5A
V
DS
= -5V
-15V
-10V
0
40
80
120
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 415
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
0.0001
6
12
18
24
30
0.001
0.01
0.1
1
10
100
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 415
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 415 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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PDF描述
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