參數(shù)資料
型號： FDG6313N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-Channel, Digital FET
中文描述： 500 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC70-6
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 58K
代理商： FDG6313N
FDG6313N Rev. A
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.1
1
2
5
10
25
40
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
3
V , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
DC
1s
100ms
10s
RDSON LMT
V = 4.5V
SINGLE PULSE
R = 415 °C/W
T = 25°C
JA
10ms
1ms
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
200
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
R (t) = r(t) * R
R =415
°C/W
JA
JA
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.3
1
2
5
10
25
3
10
30
70
200
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
00
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
200
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R =415°C/W
T = 25°C
JA
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 0.5A
10V
15V
V = 5V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDG6316P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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