參數(shù)資料
型號： FDG6313N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-Channel, Digital FET
中文描述： 500 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC70-6
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 58K
代理商： FDG6313N
FDG6313N Rev. A
0
0.2
0.4
I , DRAIN CURRENT (A)
0.6
0.8
1
1.2
0.5
1
1.5
2
D
V = 2.0V
2.7V
3.0V
4.5V
3.5V
2.5V
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 4.5 V
I = 0.5A
R
D
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
2.7V
2.5V
V = 4.5V
3.0V
2.0V
1.5V
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = 0.3A
D
T = 125°C
T = 25°C
A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
T = -55°C
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
S
T = 125°C
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 6 . Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDG6316P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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