參數(shù)資料
型號(hào)： FDG312P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 1200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 206K
代理商： FDG312P
F
FDG312P Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
6
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
-1.5V
-2.5V
-2.0V
-3.5V
-3.0V
V = -4.5V
0
1
2
3
4
5
6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
- I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0V
R
D
-4.0V
-4.5V
-3.5V
-3.0V
-2.5V
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1
2
3
4
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -5V
D
J
125°C
25°C
0.2
0.4
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
1
10
-
25°C
-55°C
V = 0V
S
TJ
1
2
3
4
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -0.6A
J
J
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -1.2A
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PDF描述
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