參數(shù)資料
型號： FDFMC2P120
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 3.5 A, 20 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-229WEEA
封裝： 3 X 3 MM, 0.80 MM HEIGHT, MLP-6
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 123K
代理商： FDFMC2P120
FDFMC2P120 Rev.E (W)
F
NOTES :
A.
VARIATION WEEA, DATE 11/2001.
B.
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C.
DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M 1994
CONFORMS TO JEDEC REGISTRATION M0-229,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDFS2P102A Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDFS2P102 FETKEY P-Channel MOSFET with Schottky Diode
FDFS2P103 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDFS2P103A Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDFS2P106A Integrated 60V P-Channel PowerTrench剖 MOSFET and Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDFME2P823CT 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDFME2P823ZT 功能描述:MOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDFME3N311ZT 功能描述:MOSFET Int. NCh PowerTrench MOSFET & Sch. Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDFMJ2P023Z 功能描述:MOSFET -20V Integrated P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDFMM-TTL-100F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog Miscellaneous
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