參數資料
型號： FDFMC2P120
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 3.5 A, 20 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-229WEEA
封裝： 3 X 3 MM, 0.80 MM HEIGHT, MLP-6
文件頁數： 4/7頁
文件大小： 123K
代理商： FDFMC2P120
FDFMC2P120 Rev.E (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-2.5V
-2.0V
V
GS
= -4.5V
-3.0V
-3.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0
2
4
6
8
10
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.5V
-4.0V
-3.5V
-4.5V
-3.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -3.5A
V
GS
= -4.5V
0.08
0.12
0.16
0.2
0.24
0.28
0.32
0.36
0.4
0.44
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -1.8A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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