參數(shù)資料
型號(hào)： FDD8586
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM
中文描述： 35 A, 20 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 373K
代理商： FDD8586
F
FDD8586/FDU8586 Rev. B
www.fairchildsemi.com
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD8750 N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 2.7A, 40mohm
FDD8770 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
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FDD8782 N-Channel PowerTrench MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDD86102LZ 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD86102LZ_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m??
FDD86110 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD86113LZ 功能描述:MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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