參數(shù)資料
型號(hào)： FDD6630A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 21 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 147K
代理商： FDD6630A
Electrical Characteristics
T
C
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
I
GSSF
Gate-Body Leakage, Forward
I
GSSR
Gate-Body Leakage, Reverse
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
30
V
μ
A
nA
nA
1
100
-100
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
V
GS(TH)
Gate Threshold Voltage
R
DS(ON)
Static Drain-Source
On-Resistance
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 7.6 A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 6.3 A
1
3
V
0.035
0.050
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
21
1.2
A
V
V
GS
= 0 V, I
S
= 2.7 A
θ
θ
θ
θ
! "
≤
#$$
μ
%&'
≤
($)
*
θ
((
+,$ '-"
*
θ
+./ '-"
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