參數(shù)資料
型號(hào)： FDD603AL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 33 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： FDD603AL
3$!!4
'
(
0
20
40
60
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
o
C/W
T
A
= 25
o
C
)*+!#,
-!.*+
.
/
! 0
!
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R =
96
°
C/W
JA
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0.1
0.3
1
4
10
30
60
100
200
500
1000
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 10A
V = 5.0V
20V
10V
0.1
1
3
5
10
30
50
0.01
0.1
1
5
20
50
100
200
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V))
I
D
100μs
1ms
10ms
DC
R Lmt
DS(ON)
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 3.2 C/W
T = 25
°
C
A
10μs
1μs
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PDF描述
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