參數(shù)資料
型號(hào): FDD603AL
廠(chǎng)商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 33 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 237K
代理商: FDD603AL
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0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
20
I
S
25
°
C
-55
°
C
V = 0V
TJ
°
C
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
DS
T = 125
°
C
-55
°
C
25
°
C
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V =10V
8.07.0
6.0
5.0
4.5
4.0
3.0
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
4.5
5.0
7.0
6.0
8.0
V = 4.0V
10
2
4
6
8
10
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
25
°
C
I = 5A
T = 125
°
C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
R
D
V = 10V
I = 9.5A
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PDF描述
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FDD6530A 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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