參數(shù)資料
型號： FDD5810
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 35A, 27mOhm
中文描述： 7.7 A, 60 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 226K
代理商： FDD5810
FDD5810 Rev. A (W)
www.fairchildsemi.com
F
6
Figure 11.
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12.
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
Normalized Drain to Source
Figure 13.
100
1000
0.1
1
10
60
10000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
iss
C
oss
C
rss
10
Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14.
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 35A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
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