參數(shù)資料
型號： FDD5810
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 35A, 27mOhm
中文描述： 7.7 A, 60 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： FDD5810
FDD5810 Rev. A (W)
www.fairchildsemi.com
F
3
Switching Characteristics
t
on
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
t
off
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V
DD
= 30V, I
D
= 35A
V
GS
= 5V, R
GS
= 11
-
-
-
-
-
-
-
130
-
-
-
-
90
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
75
26
34
-
Drain-Source Diode Characteristics
V
SD
Source to Drain Diode Voltage
I
SD
= 35A
I
SD
= 16A
I
F
= 35A, di/dt = 100A/
μ
s
I
F
= 35A, di/dt = 100A/
μ
s
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
39
35
V
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Notes:
1:
Package Limitation is 35A.
2:
Starting T
J
= 25°C, L = 110
μ
H, I
AS
= 28A, V
DD
= 54V, V
GS
= 10V.
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