參數(shù)資料
型號(hào)： FDD3N40
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 400V N-Channel MOSFET
中文描述： 400V N溝道MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 735K
代理商： FDD3N40
5
www.fairchildsemi.com
FDD3N40 / FDU3N40 Rev. A
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD3N40TF 400V N-Channel MOSFET
FDD3N40TM 400V N-Channel MOSFET
FDD4141 Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.5 to 3.7; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
FDD4243 40V P-Channel PowerTrench MOSFET -40V, -14A, 44mohm
FDD45AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 22A, 45m
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD3N40TF 功能描述:MOSFET 400V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD3N40TM 功能描述:MOSFET 400V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD3N50NZ 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 2.5A, 2.5???
FDD3N50NZTM 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD4141 功能描述:MOSFET -40V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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