參數(shù)資料
型號： FDC655BN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
中文描述： 6300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 528K
代理商： FDC655BN
5
www.fairchildsemi.com
FDC655BN Rev. C(W)
F
Typical Characteristics
V
DS
L
Figure 12. Unclamped Inductive
Load Test Circuit
Figure 14. Gate Charge Test Circuit
Figure 15. Gate Charge Waveform
Figure 16. Switching Time
Test Circuit
Figure 17. Switching Time Waveforms
Figure 13. Unclamped Inductive
Waveforms
R
GE
DUT
V
GS
I
AS
0.01
V
DD
+
–
tp
0V
vary t
to obtain
required peak I
AS
V
GS
t
AV
t
P
I
AS
V
DS
V
DD
BV
DSS
V
DS
R
L
R
GEN
DUT
V
DD
V
GS
Pulse Width
≤
1
μ
s
Duty Cycle
≤
0.1
%
V
GS
+
–
t
r
t
f
t
d(ON)
t
d(OFF)
t
ON
t
OFF
Pulse Width
10%
10%
90%
10%
90%
50%
90%
50%
0V
0V
V
GS
V
DS
V
GS
Q
GS
Q
GD
Q
G(TOT)
10V
Charge, (nC)
DUT
V
DD
V
GS
I
g(REF)
+
–
+
-
Same type as DUT
Drain Current
1 F
10 F
10V
50k
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PDF描述
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FDC6561AN Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
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參數(shù)描述
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