參數(shù)資料
型號： FDC6506P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 1800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： FDC6506P
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
-6 (FS PKG Code 31, 33)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC653 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC653N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC654P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC655BN Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDC655AN Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC6506P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-6
FDC6506P_Q 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC653 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC653N 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC653N_F095 功能描述:MOSFET 30V 5A N-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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