參數(shù)資料
型號： FDC6506P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 1800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 204K
代理商： FDC6506P
F
FDC6506P Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
R (t) = r(t) * R
R =
180
°C/W
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =180°C/W
T = 25°C
A
JA
0.1
0.2
0.5
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
-
RDS(ON) LIMIT
D
V = -10V
SINGLE PULSE
R = 180°C/W
T = 25°C
JA
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100us
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -1.8A
V
DS
=-5.0V
-10V
-15V
0
60
120
180
240
300
0
6
12
18
24
30
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
oss
C
rss
f=1MHz
V
GS
=0V
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PDF描述
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