參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6506
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 雙P溝道邏輯電平的PowerTrench MOSFET的⑩
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 204K
代理商： FDC6506
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
-6 (FS PKG Code 31, 33)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6506P Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
FDC653 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC653N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC654P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC655BN Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC6506P 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6506P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-6
FDC6506P_Q 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC653 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC653N 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)