參數(shù)資料
型號： FDC6308P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 1700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 325K
代理商： FDC6308P
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT -6 (FS PKG Code 31, 33)
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6310P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6312P Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6318 Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6318P Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6320 Dual N & P Channel , Digital FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDC6310P_Q 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6312P 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6312P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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