參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6308P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 1700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 325K
代理商： FDC6308P
Absolute Maximum Ratings
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Ratings
Units
V
DSS
V
GSS
I
D
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
-20
±
12
-1.7
-5
0.96
0.9
0.7
V
V
A
- Continuous
- Pulsed
(Note 1a)
P
D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
W
(Note 1b)
(Note 1c)
T
J
, T
stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
130
60
°
C/W
°
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.
308
Device
FDC6308P
Reel Size
7
’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
!
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5
6
4
2
3
1
D1
S2
G1
D2
S1
G2
SuperSOT -6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6310P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6312P Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6318 Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6318P Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6320 Dual N & P Channel , Digital FET
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參數(shù)描述
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FDC6312P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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