參數(shù)資料
型號： FDC6308P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 1700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 325K
代理商： FDC6308P
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0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-V
SD
, BODY DIODE VOLTAGE (V)
T
J
=125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
=0
-
S
,
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
2
4
6
8
10
- I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.5V
-3.5V
-4.5V
-3.0V
-4.0V
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -1.7A
V
GS
= -4.5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
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1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -0.9A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
2
4
6
8
10
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-2.5V
-3.5V
-3.0v
-2.0V
-4.0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FDC6318P Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDC6310P_Q 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6312P 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6312P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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