參數(shù)資料
型號： FDC6306P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 1900 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： FDC6306P
F
FDC6306P Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.1
0.2
0.5
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
-
D
RDS(ON) LIMIT
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 180°C/W
T = 25°C
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100us
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =180°C/W
T = 25°C
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
R (t) = r(t) * R
R =
180
°C/W
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-15V
I = -1.9A
-10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
300
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6308P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
FDC6310P Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6312P Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6318 Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
FDC6318P Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC6306P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
FDC6306P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-6
FDC6306P_D87Z 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6306P_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SuperSOT T/R
FDC6306P_Q 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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