參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6304P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： RES 160-OHM 0.1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 TR-7-PA ROHS
中文描述： 460 mA, 25 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商： FDC6304P
FDC6304P Rev.D
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.3
0.5
1
5
10
15
25
5
10
20
50
100
150
-VDS
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical And Thermal Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -0.25A
15V
V = 5V
10V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
0.01
0.03
0.1
0.3
1
2
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
RDSON LMT
A
DC
1s
100ms
10ms
1ms
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = See Note 1a
T = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =See note 1a
T = 25°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1b
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.Transient thermal
response will change depending on the circuit board design.
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