參數(shù)資料
型號(hào)： FDC3601N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-Channel 100V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 1000 mA, 100 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： FDC3601N
FDC3601N Rev C(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
5.0V
4.0V
4.5V
V
GS
= 10V
6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
4.5V
5.0V
10V
6.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 1.0A
V
GS
=10V
0.25
0.5
0.75
1
1.25
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 0.5A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1.5
3
4.5
6
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
V
DS
= 5V
-55
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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